رابطة بین پوشیدگی‌های شیمیایی و مغناطیس‌پذیری در نانولولۀ کربنی تک جدارۀ زیگزاگ ‏‎(5,0)‎‏ تغلیظ شده با پتاسیم

نویسندگان

1 گروه شیمی، دانشکدة علوم پایه، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران

2 گروه شیمی، دانشکدة علوم پایه، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران

3 گروه شیمی، دانشکدة علوم پایه، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران

doi
10.47176/ijpr.20.3.39761
چکیده

در این تحقیق، ارتباط بین پوشیدگی‌‌ دیامغناطیسی (σd)، پوشیدگی پارامغناطیسی کل (sp+s´p) و پوشیدگی همسانگرد شیمیایی 13C(σiso) با بارهای اتمی مولیکن ، NBO و QTAIM و نیز ارتباط پوشیدگی های شیمیایی با مغناطیس‌پذیری‌ها در نانولوله کربنی تک جدارۀزیگزاگ (5,0) با تغلیظ پتاسیم و بدون پتاسیم، با استفاده از نظریة تابعی چگالی، تحت شرط مرزی دوره‌ای(PBC)  در سطح محاسباتی PBEPBE/6-31G(d) بررسی شده است. نتایج نشان می‌دهد که نانولولة کربنی زیگزاگ (5,0) با تغلیظ پتاسیم، به نانولوله کربنی پایدارتر نوع N تبدیل می‌شود. رابطة خطی بین بار های اتمی مولیکن ، NBO و QTAIM با پوشیدگی همسانگرد شیمیایی13C (σiso)  و پوشیدگی دیامغناطیسیσd  در ساختارهای با پتاسیم و بدون پتاسیم، وجود دارد. پوشیدگی پارامغناطیسی کل (σp + σ´p) با هیچ یک از بارها در ساختارهای با تغلیظ پتاسیم، ارتباط خطی ندارد. بین مغناطیس‌پذیری کل اتمی(c (Ω))  با پوشیدگی همسانگرد شیمیایی13C (σiso) ارتباط کاملاً خطی در هر دو ساختار با پتاسیم و بدون پتاسیم برقرار است.