فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه‌گیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل‌زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه‌های ماسفت سه‌گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت‌های سه‌گیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می‌شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می‌یابد. در ساختار ارائه  شده برای جلوگیری از تجمع حفره‌ها درون سطح کانال از سیلیسیم-ژرمانیوم استفاده شده است. این کار باعث کاهش اثر بدنه شناور (FBE)، اثر خودگرمایی (SHE) و جریان چگالی حفره‌ها در ماسفت‌های سه‌گیتی می‌شود. نتایج این ساختار با نرم‌افزار Silvaco به‌صورت سه‌بعدی شبیه‌سازی شده است.