فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله با بهره‌گیری از روش تابع گرین و در رهیافت تنگابست، تأثیر حضور و چگونگی توزیع ناخالصی‌های الکتریکی را بر روی رسانش الکترونی یک نانونوار با ساختار مربعی مطالعه می‌کنیم. بدین منظور با به‌ کار بردن یک تبدیل یکانی مناسب، مدهای رسانش را در قسمت­ های ایده­آل جدا نموده و خود انرژی­ های مربوطه را به صورت تحلیلی به دست می ­آوریم. سپس با به کار گیری رابطه فیشرلی رسانش سامانه را به صورت الگوریتمی که سریعاً توسط رایانه قابل محاسبه است، ارائه می­ کنیم. نتایج عددی نشان می‌دهد که توزیع ناخالصی‌های الکتریکی با انرژی‌های جایگاهی متفاوت، منجر به مقادیر متفاوتی از رسانش الکترونی در سامانه شده و به ‌طور کلی باعث کاهش رسانش الکتریکی می­ شود.