لیزر Ce:Nd:YAG با دمش دیود نورگسیل و سوییچ Q انفعالی
نویسندگان
1 پژوهشکده پلاسما و گداخت هستهای، پژوهشگاه علوم و فنون هستهای، تهران. دانشکده علوم، دانشگاه پیام نور، تهران
2 پژوهشکده پلاسما و گداخت هستهای، پژوهشگاه علوم و فنون هستهای، تهران
3 دانشکده علوم، دانشگاه پیام نور، تهران
doi
10.29252/ijpr.18.3.477چکیده
در این مقاله نخستین مشاهدات تجربی حاصل از کاربرد سوییچ Q انفعالی با محیط فعالCe:Nd:YAG و دمش نوری آرایههای دیود نور گسیل مورد بررسی قرار گرفته است. قطر و طول محیط فعال به ترتیب 3 و 60 میلیمتر است که با استفاده از 4 ردیف 32 تایی دیود نور گسیل آبی در460 طول موج نانومتر دمیده میشود. تشدیدگر نوری با طول هندسی cm 14 از دو آینه 99 و 93 درصد در طول موج گذار لیزر 1064 نانومتر تشکیل شده است که در حالت نوسان آزاد بیشینه انرژی خروجی نوسانگر بیش از 200 میکرو ژول است. با قرار دادن یک سوییچ نوری انفعالی با تراگسیل اولیه 96 درصد، یک تپ نوری سوییچ Q با انرژی 17 میکروژول و پهنای زمانی 240 نانوثانیه به ازای 6/0 ژول انرژی الکتریکی دمش مشاهده شد. با افزایش انرژی دمش تا 2/1 ژول 2 تپ سوییچ Q کم و بیش هم انرژی پدید میآیند. همچنین روشی مبتنی بر کنترل نرخ دمش و شکلدهی جریان دیودهای نور گسیل برای کاهش پهنای تپ و افزایش انرژی با حفظ تک تپ لیزر ارائه شده است.