خواص مغناطیسی عایق‌های توپولوژیکی مغناطیسی سه بعدی:اثرات انحنای شش گوشی

نویسندگان

1 دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان

2 دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان

3 دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان

doi
10.29252/ijpr.17.5.681
چکیده

در این مقاله خواص مغناطیسی عایق‌های توپولوژیکی سه بعدی آلاییده با اتم‌های مغناطیسی بررسی شده است. قفل شدگی اسپین- مدار الکترون‌های سطحی سبب بروز رفتارهای مغناطیسی جالبی می‌شود که در سیستم‌های متعارف بدون برهم‌کنش اسپین- مدار قابل مشاهده نیست. از جمله این خصوصیات می‌توان به وابستگی شدید دمای گذار فرومغناطیس- پارامغناطیس سیستم به پارامترهای مختلف آن اشاره کرد. در این مقاله اثرات انحنای شش گوشی را با استفاده از رهیافت میدان متوسط، روی پارامتر نظم، دمای بحرانی، و پذیرفتاری مغناطیسی سیستم مطالعه کرده‌ایم