فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این تحقیق ساختار نواری، خواص اپتیکی و طیف تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی حفره‌ای با ساختار شش گوشی محاسبه شده است. ساختار نواری، نقشه و اندازه گاف نواری به روش بسط امواج تخت بر حسب شعاع محاسبه شده است. برای این بلور فوتونیکی با ثابت شبکه a، بیشینه گاف قطبش‌های TE و TM و بیشینه گاف کامل به ترتیب 51%، 20% و 17% و مربوط به شعاع‌های a43/0 و a50/0 و a48/0 می‌باشد. با محاسبه طیف جذب به روش FDTD و با استفاده از قانون کیرشهف، طیف تابش گرمایی در ناحیه m 1µتا m 10µ محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان می‌دهد که با تنظیم پارامترهای هندسی شبکه، می‌توان ساختار نواری بلور فوتونیکی سیلیکونی را مهندسی نمود و طیف تابش گرمایی را به نحوی کنترل نمود که در سیستم‌های ترموفوتوولتایی قابل استفاده باشد.