فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله لایه نازک دی‌اکسید‌سیلیسیم، SiO2، با دو روش تولید شده است: در روش اول، SiO2 مستقیماً توسط تفنگ الکترونی تبخیر می‌شود و هم‌زمان برای جبران کمبود اکسیژن، گاز اکسیژن به محیط تزریق می‌شود. در روش دوم، منواکسید‌سیلسیم، SiO، توسط تبخیر گرمایی بخار می‌شود و در حین تبخیر آن، زیر لایه با یون‌های اکسیژن که توسط یک منبع یون تولید شده‌اند بمباران می‌شود. ضریب شکست، ضریب خاموشی و ضخامت لایه به کمک حل عددی روابط عبور و بازتاب محاسبه شده‌اند. از میزان جابه‌جایی منحنی عبور مقدار نایکنواختی لایه محاسبه شده است. نتایج نشان می‌دهد که اگر مقدار جریان و انرژی یون‌های اکسیژن به طور مناسب انتخاب شوند، لایه SiO2 تولید شده در روش دوم، جذب ندارد. به علاوه لایه SiO2 تولید شده توسط روش دوم به مراتب یکنواخت‎تر از لایه تولید شده با روش اول می‌باشد.