مطالعه بنیادی برهم کنش گاز N2O بر روی سطوح حالتهای خالص و آلایش یافته با Si، Ga و SiGa نانو لوله آرمچیر بور فسفید: به روش DFT
نویسندگان
1 گروه شیمی فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه ملایر، ملایر
2 گروه شیمی فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه ملایر، ملایر
doi
10.18869/acadpub.ijpr.16.3.75چکیده
در این تحقیق با استفاده از نظریه تابع چگالی، پارامترهای الکتریکی، ساختاری، کوانتومی و تشدید مغناطیس هستهای(NMR) مربوط به برهمکنش گاز N2O بر روی وضعیت اتمهای B و P < span dir="RTL"> حالتهای خالص و آلایش یافته با Si، Ga و SiGa نانولوله آرمچیر(4 و4) بور فسفید(BPNTs) مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور هفت مدل جذبی را بر روی سطح خارجی نانو لوله بور فسفید در نظر گرفته و سپس تمام ساختارهای مورد مطالعه را با استفاده از روش B3LYP < span dir="RTL"> و توابع بنیادی(d) G 31-6 بهینه نمودهایم. ساختارهای بهینه شده برای محاسبه پارامترهای الکتریکی، ساختاری، کوانتومی و NMR مورد استفاده قرار گرفتهاند. نتایج حاصل نشان میدهد که مقادیر انرژیهای جذب تمام مدلهای مورد مطالعه منفی بوده، گرماده هستند و از نظر ترمودینامیکی مساعد میباشند. هنگامی که گاز N2O از سر اکسیژن خود جذب اتم بور نانولوله گردد، این گاز به اکسیژن اتمی و نیتروژن مولکولی تفکیک میشود، در این حالت انرژی جذب بیشتر از سایر مدلها بوده لذا از سایر مدلها نیز پایدارتر است. در مدلهای جذبیA ، B و C پارامتر سختی کروی نانولوله کاهش قابل توجهی را نسبت به حالت اولیه نشان میدهد که بیانگر افزایش واکنش پذیری و فعالیت نانو لوله است. همچنین در این مدلها مقدار الکترونخواهی، پتانسیل شیمیایی، الکترونگاتیویته و پارامتر نرمی افزایش قابل ملاحظهای را نسبت به حالت اولیه نشان میدهند. نتایج حاصل از محاسبات NMR نشان میدهد مقادیرCSI در مدل C از سایر مدلها بیشتر است. نتایج این تحقیق نشان می دهد نانولولههای بور فسفید آلایش یافته با Si ، Ga و SiGa انتخاب مناسبی برای جذب و تهیه حسگر گاز N2O میباشند