اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی
نویسندگان
1 1. گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد2. مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
2 1. گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد2. مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
doi
10.18869/acadpub.ijpr.16.2.225چکیده
در این مقاله مبتنی بر روش تابع گرین در رهیافت تنگابست، ترابرد الکترونی یک نانونوار گرافنی شامل یک نقص پیوندی و همچنین یک نانوسیم پلیاستیلنی شامل یک پیوند اضافی، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان میدهد که رسانش الکترونی نسبت به تغییر مکان نقص پیوندی در موارد تشدیدی و غیر تشدیدی، رفتاری متفاوتی از خود نشان میدهد. تنها در مواردی که پیوندهای دوگانه داریم، با تغییر مکان پیوند مقدار رسانش در انرژی صفر، تغییر میکند. به خصوص در نانوسیم پلیاستیلنی این تغییرات بیشتر مشاهده میشود. میزان جابهجایی مکان ضد تشدیدها در طیف رسانش، نسبت به تغییر محل نقص پیوندی نیز قویاً به نوع و شکل ساختار سامانه مرکزی وابسته است.
