فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین رسانش الکترونی یک نانو‌حلقه کربنی را برای موقعیت‌های مختلف اتصال هادی‌ها به آن در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی کردیم. نتایج نشان می‌دهد که با نزدیک شدن هادی‌ها در نانو‌حلقه، رسانش تونل‌زنی در ناحیه گاف بهتر می‌شود. همچنین اعمال میدان مغناطیسی تأثیر زیادی بر طیف رسانش این نانو‌حلقه دارد، به گونه‌ای که وجود میدان باعث می‌شود مواردی که طیف رسانش آنها در غیاب میدان کاملاً بر هم منطبق هستند، از هم جدا گردند. بررسی نانو‌حلقه‌های شامل مولکول بنزن دوتایی نشان می‌دهد که تغییر مکان این حلقه‌های بنزنی در نانو‌حلقه، باعث جابه‌جایی ضد‌تشدیدها در نمودار رسانش می‌شود.