ترابرد الکترونی نانوسیمهای مولکولی با در نظر گرفتن انرژی پرش الکترون بین همسایه-های دوم
نویسندگان
1 گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد . مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
2 گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
doi
10.18869/acadpub.ijpr.15.1.89چکیده
در این مقاله به کمک روش تابع گرین و در رهیافت تنگبست به مطالعه رسانش الکترونی نانو سیمهای مولکولی با در نظر گرفتن پرش الکترون بین همسایههای اول و دوم پرداختهایم. ساختارهای مورد مطالعه شامل یک زنجیره خطی همگن، یک زنجیره خطی متناوب و یک چندپار پلیپارافنیلن هستند که فرض شده است بین دو هادی ساده فلزی محدود شدهاند. نتایج نشان میدهند که در تقریب همسایه دوم پدیده-های تشدیدی، ضد تشدیدی و فانو در طیف رسانش این ساختارها رخ میدهند. همچنین در این تقریب یک گاف انرژی جدید در لبه نوار انرژی هادیها قابل مشاهده است که اندازه آن به مقدار قدرت انرژی پرش الکترون بین همسایههای دوم بستگی دارد. در سامانههای گافدار نیز این انرژی پرش باعث جابهجایی ناحیه گاف در طیف انرژی میگردد.
