اثر پیری نقاط کوانتومی در سلول‌های خورشیدی حساس شده با نانوبلورهای CdS وPbS

نویسندگان

1 دانشکده علوم، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر طوسی، تهران

2 دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

3 دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

doi
چکیده

در این مقاله سلول‌های خورشیدی حساس شده با نانوبلور‌های سولفید فلزی CdS و PbS رشد داده شده به روش‌شیمیایی SILAR ، ساخته و مشخصه یابی شدند. سلول‌های ساخته شده با این روش، در مجاورت نور و تاریکی در دوره‌های زمانی 2، 3، 6 و10 روز پس از ساخت مورد آزمایش‌های فوتوولتائیک مانند : آزمایش تعیین نمودار جریان- ولتاژ سلول در مجاورت نور و در تاریکی، آزمایش افت ولتاژ مدار باز سلول و آزمایش طیف‌نگاری امپدانس الکتروشیمیایی، قرار گرفت. از این آزمایش‌ها روند تغییرکمیت‌هایی مانند ضریب عملکرد سلول، بازده، ولتاژ مدار باز، جریان اتصال کوتاه، طول عمر الکترون در نانوساختار الکترود آند، مقاومت باز ترکیب و ظرفیت خازنی در فصل مشترک الکترولیت- فوتوآند با گذشت زمان بررسی و همچنین برای برخی مشاهده‌های فوتوولتائیک، مانند افزایش و کاهش مقاومت بازترکیب در فصل مشترک الکترولیت- فوتوالکترود به ترتیب برای سلول‌های نگه‌داری شده در تاریکی و سلول‌های نگه‌داری شده در مجاورت نور سازوکار‌های پیشنهادی ارایه شد