بررسی گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی نیمه هادیهای chalcopyrite سه گانه
نویسندگان
1 مرکز علوم پزشکی، سرینیاگار، هندوستان
2 بخش فیزیک رادیولوژی و زیست مهندسی، شری کشمیر، هندوستان
doi
چکیده
رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهشهای پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارامترها میباشد
