جرم مؤثر در نیمه هادیهای مغناطیسی رقیق شده: با استفاده از مگنتواپتیک
نویسندگان
1 دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک
doi
چکیده
نمونههایی از فیلمهای نازک اکسید روی آلاییده با تیتانیم رشد داده شده بر روی زیر لایه (0001) با استفاده از روش لایه نشانی با لیزر پالسی تهیه شد. با اندازهگیری مغناطش این نمونهها توسط اسکویید مگنتومتر، نتیجه شد که نمونهها در دمای اتاق فرو مغناطیس است. با استفاده از اثرمگنتو اپتیکی فارادی زاویه چرخش فاراده و MCD را به صورت تابعی از انرژی در فاصله 4- 5/1 الکترون ولت و همچنین چگالی حاملهای هر یک از نمونهها با استفاده از اثر هال اندازهگیری شدند. مشاهده شد گافهای نواری با چگالی حاملها تغییر میکنند. از این روی جرم مؤثر حاملها از طریق اثر بورستین- ماس و انقباض گافهای نواری محاسبه شده است.