فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

با گسترش فناوری اطلاعات و ارتباطات، استفاده از نور قطبیده لیزر، برای کاربردهای مهمی چون کلیدزنی و ذخیره اطلاعات در لایه‌های نازک فرومغناطیس و فرو الکتریک، مورد توجه قرار گرفته است [1]. برای انجام تحقیق و افزایش کاربری این لایه‌ها، رسم دقیق پسماندنوری و مغناطیسی لایه‌ها بسیار مهم است. در این تحقیق با استفاده از نور لیزر قطبیده شده خطی، مدارهای الکترونیکی خاص و نیز نرم افزار ویژه‌ای که برای ثبت اطلاعات و پردازش آنها طراحی شد سیستمی ساخته شده است که توانایی رسم دقیق پسماند الکتریکی ومغناطیسی را داراست. در تحقیق انجام شده خواص نوری و مغناطیسی لایه‌های نازکی از منگنز - کبالت به صورت تک لایه‌ای و دولایه‌ای بر روی بستر شیشه‌ای بررسی شده است. لایه‌ها به روش اسپری پایرولیز و در شرایط متفاوت و لازم برای هر لایه به طور جداگانه با کنترل دما و فشار و میزان آهنگ اسپری لایه گذاری گردیده است. لایه‌های ساخته شده شامل تک لایه‌های : اکسید کبالت ، اکسید منگنز و لایه‌های ترکیبی از منگنز و کبالت با فرمول شیمیایی وتناسب عنصری به صورت (MnxCo3-xO4(0≤x≤1 و دولایه‌ای منگنز و کبالت به صورت MnO/Co3O4 می‌باشند .با توجه به این که در لایه نشانی دمای بستر، آهنگ اسپری و تمیزی سطح بستر از اصول مهم هستند ،با رعایت این موارد لایه‌های نازک یکنواخت بر روی بستر شیشه‌ای جایگذاری شد. اندازه‌گیری چرخش اثر فارادی واثر کر برای لایه‌های ذکر شده توسط سیستم پسماند رسم اپتیکی انجام گرفت وخواص اپتیکی لایه‌ها نیز با استفاده از نرم افزاری که بدین منظور براساس مطالعه روش تئوری سان- پل(Swane Poel) آماده شد محاسبه وتعیین شدند. اندازه‌گیریها نشان می‌دهندکه اولا لایه‌ها در مقادیر کم منگنز نسبت به کبالت(کمتر از 20%) با توجه به حلقه پسماند فرومغناطیس‌اند. ثانیا، میزان چرخش نورقطبیده خطی در لایه‌های ترکیبی نسبت به لایه خالص اکسید کبالت افزایش می‌یابند. از طرفی نتایج به دست آمده از خواص اپتیکی نشان می‌دهد که لایه اکسید کبالت دارای دو مقدار مجازگاف انرژی بوده که در توافق با مطالعات قبلی در این زمینه بوده و از طرفی بررسیها نشان داد که در لایه‌های ترکیبی منگنز وکبالت با افزایش نسبت منگنز به کبالت تا میزان 20%، مقادیرگاف انرژی تا حدود eV0/13کاهش یافتند.