اندازهگیری پویش آزاد میانگین الکترون در لایههای نازک Ni و چند لایهایهای نازک Ni/Cu از طریق مطالعه بستگی مقاومت الکتریکی به ضخامت لایهها
نویسندگان
1
doi
چکیده
در این کار ضمن ارایه یک مدل ریاضی برای محاسبه مقاومت ویژه لایه های نازک, تغییرات مقاومت الکتریکی ویژه بر حسب ضخامت برای تک لایه ایهای نازک Ni و چند لایه ایهای نازک Ni/Cu مورد مطالعه قرار گرفت. لایه ها به روش الکتروانباشت از یک محلول الکترولیت شامل یونهای Ni و Cu رشد یافتند. ضخامت لایه ها از 200 تا 2000نانومتر تغییر داده شد. نقش پراش پرتوایکس (XRD) تعدادی از لایه های نازک Ni/Cu بیانگر ساختار چندلایه ای و پیروی آنها از ساختار ترجیحی زیر لایه خود است. از مطالعات اندازه گیری مقاومت الکتریکی ویژه, پویش آزاد میانگین برای لایه های نازک Ni و Ni/Cu محاسبه گردید.