وابستگی مقاومت الکتریکی سیمهای باریک به میدان مغناطیسی و دما
نویسندگان
مسلم زارع,
ID
2
1
2
doi
چکیده
در این مقاله تغییرات مقاومت الکتریکی سیمهای نانویی بیسموت بر حسب دما و میدان مغناطیسی مطالعه گردیده است. به همین منظور اثر پیکر و پراکندگی سطحی حاملها, در سیمهای باریک را برای سیستمهای با سطوح فرمی بیضوی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج به دست آمده با داده های تجربی تطبیق داده شده اند.
