فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مطالعه، تأثیر سطوح رسانا بر جریان الکترواسموتیک در یک ریزمجرای تخت با بارسطحی ناهمگن (بخشی رسانا) بررسی شده است. مدل‌سازی عددی با روش لتیس بولتزمن انجام شده و اثرات شدت میدان الکتریکی، زتاپتانسیل دیوار نارسانا و طول بخش رسانا بر دبی و خطوط جریان، با استفاده از طرح آزمایش عاملی کامل، تحلیل شده است. نتایج نشان می‌دهد که افزایش شدت میدان الکتریکی، کاهش زتاپتانسیل نارسانا و افزایش طول رسانا متناسب با فاصله جریان از بخش رسانا موجب گسترش خطوط جریان می‌گردد. برخلاف دبی جریان که در حضور بخش رسانا به طور جزئی کاهش می‌یابد، وجود رسانا در تمامی حالات موجب بهبود اختلاط می‌شود. حضور رسانا در مجرا موجب معکوس شدن اثرات کاهشی شدت میدان الکتریکی بر شاخص اختلاط خواهد شد؛ به نحوی که در شدت میدان الکتریکی 18000V/m، شاخص اختلاط در حضور رسانا به حدود سه برابر مجرای نارسانا افزایش می‌یابد. تأثیرپذیری اختلاط از بخش رسانا تابع زتاپتانسیل بخش نارسانا است؛ به نحوی‌که با افزایش زتاپتانسیل از 50mV به 300mV، میزان بهبود شاخص اختلاط در حضور رسانا از حدود 2 برابر مجرای نارسانا به 2/1 برابر کاهش می‌یابد.