شبیه سازی عددی انتقال گرمای همرفتی اجباری نانو سیال در داخل میکرو کانال موجدار تحت میدان مغناطیسی
نویسندگان
1 استادیار، موسسه آموزش عالی آیندگان، تنکابن، ایران
2 استادیار، موسسه آموزش عالی آیندگان، تنکابن، ایران
doi
10.22034/jmeut.2022.48594.3002چکیده
در این مطالعه انتقال گرمای همرفتی اجباری جریان لایهای نانو سیال آب و اکسید مس در میکرو کانال موجدار در حضور میدان مغناطیسی با استفاده از روش عددی مورد بررسی قرارگرفته است . معادلات تابع جریان، انتقال گردابه و انرژی به روش تفاضل محدود گسسته سازی شده و با قراردادن شرایط مرزی توجه به شرایط مرزی موردنظر در محیط نرمافزار فرترن حل میگردند. تاثیر پارامترهای مختلفی ازجمله عدد رینولدز در محدوده 500-50 ، کسر حجمی 0-10% ، عدد هارتمن 20-0 و دامنه موجهای 3/0-0 بر عملکرد یک میکرو کانال موجدار موردبررسی قرار میگیرد. با توجه به نتایج بهدستآمده، شکل سینوسی میکرو کانال بهطور مستقیم بر انتقال گرما تأثیر گذاشته و با افزایش دامنه موج میکرو کانال عدد ناسلت افزایش مییابد. از طرفی گردابه های ایجادشده در رینولدزهای بالا نیز سبب بهبود کارایی میکرو کانال و افزایش انتقال گرما میگردد. همچنین نتایج نشان میدهد که با افزایش عدد هارتمن، خط جریان در نزدیکی دیواره منظمتر شده و با توجه به گرادیان دمایی ایجادشده، عدد ناسلت افزایش مییابد.