جفتشدگی غیرخطی دو نانوسیم پلاسمونیکی جفتشده با حضور اثر کر و جذب دوفوتونی در مد های TM00 و TM10
نویسندگان
1 دانشگاه تبریز
2 دانشگاه آزاد اسلامی
3 دانشگاه آزاد اسلامی
doi
10.47176/ijpr.20.4.71084چکیده
برهمکنش غیر خطی نانوسیمهای پلاسمونیکی از موضوعات مهم در مدارات مجتمع اپتیکی است. در این مقاله به بررسی اثرات جفتشدگی غیرخطی برای دو مد TM 00 و TM 10 در دامنههای مختلف بر روی دو نانوسیم پلاسمونیکی از جنس نقره در حضور اثر کر و حالتی دیگر که محیط علاوه بر اثر کر اثر جذب دوفوتونی نیز دارد، میپردازیم. نتایج نشان میدهد که اثرات غیرخطی با حضور اثر جذب دوفوتونی در دامنههای ورودی خیلی پایین تری نسبت به اثر کر ظاهر میشود. اثر کر در شدتهای بسیار بالاتری نسبت به اثر جذب دوفوتونی رخ میدهد و اثرات اپتیکی غیرخطی موجب کاهش جابهجایی موج پلاسمونیکی بین دو موجبر نانوسیم میشود. مقادیر طول جفتشدگی (L c )- که این طول کمترین مسافتی است که طی آن در محیط جابهجایی موج بین دو نانوسیم صد در صد است- در مد TM 00 کمتر از مد TM 10 است. همچنین نتایح نشان میدهد که افزایش شدت در یک طول جفتشدگی به ازای دامنة میدانهای اولیه مختلف منجر به افزایش راندمان جفتشدگی میشود.