نانوساختارهای بینظم سیلیکون: جایگزیدگی و گاف انرژی
نویسندگان
1 دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات
2 دانشگاه آزاد اسلامی
3 دانشگاه رازی
4 جامعه المصطفی العالمیه
doi
چکیده
در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالتهای جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بینظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتمها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتمهای سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگیها و افزایش گاف انرژی a-Si شدیم. میزان افزایش گاف در ازای هر درصد هیدروژن اضافه شده، برابر با حاصل شده است که با سایر نتایج نظری موجود در توافق است.
