فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله، مدل عددی برای محاسبه چگالی و جریان الکترونی چاه کوانتم ترانزیستورهای AlGaN/GaN با در نظر گرفتن فشارهیدرواستاتیکی ارائه شده است که امکان بررسی اثر فشار روی رسانندگی متقابل، ساب باند‌های چاه کوانتمی، جریانهای نشت سطحی و حجمی و نهایتاً مینیمم نویز را فراهم می‌کند. دراین مدل از حل خودسازگار معادله شرودینگر و پواسون در بدست آوردن چگالی گاز الکترونی دو بعدی استفاده شده که در آن تا پنج ساب باند انرژی در نظر گرفته شده است. افزایش فشارمعادل گیت مجازی در ترانزیستورها در مجاورت گیت حقیقی عمل میکند که باعث افزایش عمق چاه کوانتم، جریان و چگالی الکترونی، رسانندگی متقابل، جریانهای نشت ونهایتاً مینیمم نویز میگردد. با افزایش فشار ساب باندها چاه کوانتم دو بعدی به سمت پایین فشرده می‌شود و الکترون‌ها بستگی قوی پیدا می‌کنند و محدودیت کوانتمی افزایش می‌یابد . همچنین در هر فرکانس و جریان درین سورس دلخواهی افزایش فشار باعث افزایش مینیمم نویز می‌شود. نتایج محاسبه شده با داده‌های تجربی موجود مطابقت خوبی دارند.