سنتز نقاط کوانتومی هسته – پوسته CdSe، CdS، ZnSe و CdTe/ZnS به روش همرسوبی
نویسندگان
1 پژوهشکده نانو فناوری، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران
2 گروه مهندسی مواد، دانشکده مهندسی شیمی شهید نیکبخت، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران
3 گروه رنگدانههای معدنی و لعاب، پژوهشگاه رنگ، تهران، ایران
4 گروه مهندسی شیمی، دانشکده مهندسی شهید نیکبخت، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران
doi
چکیده
در این پژوهش، سنتز نقاط کوانتومی CdTe و نقاط کوانتومی هسته CdTe و پوسته CdSe، CdS، ZnS و ZnSe به روش همرسوبی انجام شد. در این راستا ابتدا هسته CdTe سنتز و اثر زمان تقطیر برگشتی یک تا هفت ساعت بر خواص نورتابی، گاف نواری، ساختار و ریزساختار آن بررسی گردید. نتایج نشان داد که زمان تقطیر برگشتی به مدت یک ساعت به تشکیل هسته CdTe با میانگین اندازه ذرات چهار نانومتر، نشر با طول موج 555 نانومتر و گاف نواری 2.25 الکترون ولت منجر میشود. همچنین، افزایش زمان تقطیر برگشتی به بزرگ شدن ذرات، جابجایی نشر به سمت طول موجهای بلندتر و کاهش گاف نواری منجر میگردد. سپس پوستههای گوناگون سولفید روی، سلنید روی، سولفید کادمیم و سلنید کادمیم به طور جداگانه روی هسته CdTe به صورت درجا سنتز شد. تشکیل پوسته سبب جابجایی نشر به سوی نشر قرمز با طول موج 591 نانومتر و کاهش گاف نواری تا 2.15 الکترون ولت شد.
