فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مطالعه، سلول خورشیدی پروسکایت بدون سرب Cs2PtI6 (سزیوم پلاتینوم یدید) توسط نرم‌افزار SCAPS-1D بررسی و اثر ضخامت لایه پروسکایت، دما و دانسیته نقص‌ها بر پارامترهای فوتوولتاییک بررسی گردید. ساختار سلول خورشیدی پیشنهادی n-i-p بوده و معماری آن به صورت ITo/Tio2/Cs2PtI6/CBTS/Au است. پارامترهای محاسبه شده، ولتاژ مدار باز، جریان اتصال کوتاه، ضریب پرشدگی، بازدهی و بازدهی کوانتومی سلول خورشیدی است.نتایج این تحقیق نشان می‌دهد که افزایش ضخامت لایه پروسکایت تا حدی که از طول نفوذ حامل‌های بار بیشتر نشود، راندمان سلول خورشیدی را 2/29% افزایش می‌دهد. همچنین مشخص شد که افزایش 110 کلوین دما باعث کاهش راندمان 7/10 % بازدهی سلول خورشیدی می‌شود. از سوی دیگر مشاهده شد که افزایش دانسیته نقص در لایه پروسکایت به شدت باعث کاهش بهره‌وری سلول خورشیدی به میزان 8/36 % است. این یافته‌ها اهمیت بهینه‌سازی مواد و پایداری عملیاتی را در طراحی سلول‌های خورشیدی پروسکایت بدون سرب، کارآمد نشان می‌دهد