بررسی خواص ترموالکتریکی ساختارهای مبتنی بر دیکالکوژنهای دو بعدی MoS2 /MoS2 ,WTe2 /WTe2 ,MoS2/WTe2
نویسندگان
1 استادیار،گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران.
2 دانشیار،گروه فیزیک، واحد یاسوج، دانشگاه آزاد اسلامی، یاسوج، ایران.
3 استاد، گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران، ایران.
doi
10.30473/jphys.2024.69797.1174چکیده
در این مطالعه خواص ترموالکتریکی سیستم مبتنی بر مولیبدن دیسولفاید و تنگستن دیتلوراید را در سه ترکیب با دو نانونوار یکسان مولیبدن دیسولفاید و تنگستن دیتلوراید را در لایه بالا و پایین و همچنین ساختاری با دو لایه متفاوت یکی مولیبدن دیسولفاید و دیگری تنگستن دیتلوراید بررسی میکنیم. این خواص شامل ضریب رسانش الکتریکی (G)، رسانندگی گرمایی (κe)، ضریب سیبک یا توان ترموالکتریکی (S) و ضریب بهینگی (ZTe) هستند که برای طراحی ادوات ترموالکترونیکی مناسب هستند. اثر نوع ترکیبات ساختارهای ناهمگون دو بعدی و دما روی خواص ترمودینامیکی بررسی شد. نتایج نشان میدهند، پیکربندی مولیبیدن دیسولفاید/ تنگستن دیتلوراید با ساختار لبه آرمچیر مطلوبترین خواص ترموالکتریکی را دارد. نتایج این مقاله میتواند در طراحی ادوات نانوالکترونیکی مبتنی بر لایههای دو بعدی مفید باشد
