ترابرد الکتریکی در یک سیم کوانتومی "Ga1-xAlxAs" در حضور برهمکنش الکترون- فونون

نویسندگان

1 گروه فیزیک، واحد یاسوج، دانشگاه آزاد اسلامی، یاسوج، ایران

2 گروه فیزیک دانشگاه پیام نور مرکز تهران شرق

3 استاد، گروه فیزیک نظری و نانو، دانشگاه الزهرا، تهران، ایران

doi
10.30473/jphys.2023.68907.1161
چکیده

در این مقاله، با استفاده از رهیافت تابع گرین خواص ترابرد الکتریکی یک ساختار متجانس شبه یک بعدی مبتنی بر  (مانند سیم کوانتومی) در حضور برهمکنش الکترون- فونون به طور نظری مطالعه می­شود. برای این منظور، ساختار مورد نظر با طول محدود  را بین دو الکترود نیم­بی­نهایت فلزی در نظر می­گیریم. با استفاده از هامیلتونی این ساختار در چارچوب تقریب بستگی قوی، ضریب عبوردهی الکترون را در رهیافت تابع گرین در غلظت­های مختلف Al و طول­های متفاوت سیم کوانتمی ناحیه میانی به دست می­آوریم. برای مطالعه اثر الکترون- فونون، یک نیروی واداشته تابع مکان و زمان را به هر اتم در یک زنجیره­ی خطی در تقریب هماهنگ در نظر می­گیریم. جابجایی هر اتم در انرژی پرش آن با همسایه­ها موثر است. نتایج محاسباتی این مقاله می­تواند به درک ما از برهمکنش الکترون­- فونون و تاثیر آن در خواص ترابرد الکتریکی کمک کند.