فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

لایه‌های دوبعدی ‌دی‌کالکوجنایدهای فلزات واسطه (TMDC) با گاف‌های نواری مستقیم، افق جدیدی‌ در کاربری این مواد در فوتونیک و الکترواپتیک ایجاد کرده است. وجود گاف نواری باعث جذب اپتیکی چشمگیر این لایه‌ها در دستگاه‌های فوتوولتاییک می‌شود. قرارگیری این لایه‌ها روی زیرلایه به علت بازتاب‌های متوالی، بر طیف جذب اثر می‌گذارد. به طور متداول، از SiO2 یاSi و یا ترکیب آنها به عنوان زیرلایه برای این تک لایه‌ها استفاده می‌شود. در این مقاله با استفاده از روش ماتریس انتقال، طیف جذب تک لایه‌های TMDC شامل MoSe2، WSe2،MoS2 و WS2 با حضور زیرلایۀ SiO2یاSi و یا دوتایی SiO2/Si با ضخامت‌های مختلف لایۀ SiO2 بررسی شد. ضخامت 90 نانومتر لایۀ SiO2 در زیرلایۀ دوتایی به عنوان ضخامت بهینه انتخاب شد؛ چرا که روند کلی جذب را تغییر نمی‌دهد و باعث افزایش جذب در بعضی نواحی طول موجی می‌شود.