شبیهسازی مونت کارلوی فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و بررسی تغییر فاصله هدف تا زیرلایه بر مشخصات لایهها
نویسندگان
1 استادیار، فیزیک، پژوهشکده فوتونیک و فناوریهای کوانتومی، پژوهشگاه علوم و فنون هستهای، تهران، ایران
2 کارشناسی ارشد، فیزیک، دانشگاه پیام نور
3 استادیار، فیزیک، دانشگاه پیام نور
4 کارشناسی ارشد، فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران
doi
چکیده
در این مقاله، فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و در حضور گاز پسزمینه به روش مونت کارلو شبیهسازی شده است. به طور خاص رشد فلز آلومینیوم در محیط گاز زنون پسزمینه و در فشار 50 میلی تور شبیهسازی شده است. فواصل هدف - زیرلایه برابر با 10، 15، 20، 25 و 30 میلی متر در شبیهسازیها مورد استفاده قرار گرفتهاند. اطلاعات مکانی و انرژی توده یونهای پلاسمایی شکل گرفته در این روش و نیز اطلاعات مشابه برای یونهای کندوپاش شده از سطح لایه درحال رشد جمعآوری شدهاند. توزیع ضخامتی لایهها با استفاده از اطلاعات یونهای عبوری و کندوپاش شده از سطح لایه محاسبه شده است. نتایج نشاندهندۀ احتمال شکلگیری حفره در مرکز لایههای درحال رشد به این روش و تشدید آن با کاهش فاصله هدف - زیرلایه است. نتایج شبیهسازی بیانگر نقش مؤثر یونهای کندوپاش شده از سطح لایه در شکلگیری این نوع حفرهها است.
