افزایش طولعمر حافظهی نهان سطح آخر غیرفرار با کمک بلوکهای ذخیره
نویسندگان
1 دانشکده علوم ﻛﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ،دانشگاه شیکاگو، ایلینوی، اﻳﺮان
2 دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه ایالتی پنسیلوانیا،پنسیلوانیا، آمریکا
3 دانشکده مهندسیﻛﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ،دانشگاه صنعتی شریف، تهران، اﻳﺮان
doi
چکیده
تکنولوژی حافظههای غیرفرار همچون STT-RAM، دارای چگالی سلول بالا بوده و همچنین توان نشتی تقریبا صفر دارند. در نتیجه میتوانند به عنوان یک جایگزین مناسب برای حافظههای نهان متداول امروزی همچون SRAM، در نظر گرفته شوند. در مقابل مزایای ذکر شده، این حافظهها دارای قابلیت تحمل نوشتن محدود هستند که میتواند منجر به طولعمر پایین آنها شود. در این مقاله یک راهکار برای افزایش طولعمر این نوع حافظهها ارائه میشود که مبتنی بر اضافه کردن بلوکهای ذخیره به ازاء هر مجموعه از حافظهی نهان است. با خرابی یک بلوک از یک مجموعه، راهکار پیشنهادی به صورت هوشمند و بدون تاثیر منفی بر کارایی سیستم، بلوک خراب را از آن مجموعه خارج کرده و یک بلوک ذخیره را به آن مجموعه اضافه میکند.