بررسی سطوح انرژی عمقی و سطحی در نانوساختارهای اکسید روی

نویسندگان

1 دانشگاه خوارزمی، دانشکده فیزیک،آزمایشگاه نانوفوتونیک

2 دانشگاه خوارزمی، دانشکده فیزیک،آزمایشگاه نانوفوتونیک

doi
چکیده

در این تحقیق به توضیح و بررسی مفاهیم کلی سطوح انرژی سطحی و عمقی به‌عنوان یکی از عمده مشکلاتی که موجب عدم شرکت صحیح پذیرنده‌ها در خواص الکتریکی دلخواه در شبکه نیم‌رساناهای دارای گاف انرژی پهن و به‌طور مشخص اکسیدروی نوع مثبت می‌گردد، پرداخته و سپس نگاهی بر سطوح انرژی هریک از نقصان‌های ذاتی شبکه اکسیدروی خواهد شد. به نظر می‌رسد دقت در جایگاه قرارگیری تراز انرژی دوپنت‌های انتخابی می‌تواند سهم بسزایی در بهینه‌سازی کیفیت نانو ساختارهای اکسیدروی داشته باشد.