تأثیر ضخامت لایه های فعال و میانگیر بر کارایی دیودهای گسیلنده آلی نور سبز
نویسندگان
1 دانشگاه بیرجند
2 دانشگاه شهید چمران اهواز
3 دانشگاه شهید چمران اهواز
doi
چکیده
در این مقاله دیودهای گسیلنده آلی نور سبز با ساختار ITO/MoO 3 /TPD/Alq 3 /LiF/Al طراحی و با استفاده از روش تبخیر حرارتی، ساخته شدند. اثرات ضخامت لایه های TPD به عنوان لایه انتقال دهنده حفره، Alq 3 به عنوان لایه انتقال دهنده الکترون و گسیلنده نور و MoO 3 که نقش لایه میانگیر تزریق کننده حفره را ایفا می کند، بر عملکرد این دیودها بررسی شد. به منظور به دست آوردن بهترین کارایی از ساختار موردنظر، با در نظر گرفتن دامنه تغییرات مناسب در ضخامت لایه ها، ضخامت بهینه لایه های Alq 3 ، TPD و لایه میانگیر MoO 3 در ساختار مورد استفاده تعیین و نقش هر یک از آنها تجزیه و تحلیل شد. پس از اندازه گیری پارامترهای نورسنجی دیودهای ساخته شده، ضخامت بهینه 45 نانومتر برای Alq 3 ، 40 نانومتر برای TPD و 15 نانومتر برای MoO 3 تعیین شد. با بهینه سازی ضخامت لایه ها کارایی دیود به واسطه افزایش توازن الکترون-حفره در فصل مشترک لایه گسیلنده و انتقال دهنده حفره، بهبود داده شد. از منحنی مشخصه چگالی جریان – ولتاژ، مقدار ولتاژ آستانه برای دیود بهینه شده (V) 9/3 تعیین شد که مقدار آن در دیودهای نورگسیل آلی حائز اهمیت است. همچنین بر اساس نتایج الکترولومینسانسی برای دیود نور گسیل آلی بهینه شده، حداکثر بازده جریان (cd/A) 1/2، بیشینه لومینسانس (cd/m 2 )7530 و بیشترین شدت تابشی در طول موج حدود nm 530 اندازه گیری شد.