بررسی ویژگیهای الکترونی و اپتیکی ترکیبات در حالت سطح در راستای (001) با استفاده از نظریة تابعی چگالی
نویسندگان
1 پژوهشگاه زابل
2 دانشگاه ولی عصر رفسنجان
3
doi
چکیده
در این مقاله خواص الکترونی و اپتیکی ترکیبات کلکوژنید در حالت سطح در راستای (001) مورد مطالعه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبهپتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی (DFT) با استفاده از نرمافزار کوانتوم اسپرسو با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. گاف نواری ترکیبات CuSbX 2 (X=Se,S) در حالت انبوهه بهترتیب 80 / 0 و93 / 0 الکترون ولت است اما در حالت سطح این ترکیبات فاقد گاف نواری هستند که علت آن پیوندهای آویزان سطحی هستند که گاف نواری را پوشانده است. محاسبات نشان داد که ترکیب CuSbTe 2 در هر دو حالت انبوهه وسطح فلز است. همچنین انرژی سطح، تابع کار، چگالی حالتها و ویژگیهای اپتیکی درحالت سطح در راستای (001) با سه برابر تکرار لایهها و خلأ 15 آنگستروم محاسبه شده است.