فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مطالعه، خواص الکترونیکی و ساختاری نیمه‌هادی MoS₂ (مولیبدن دیسولفید) با استفاده از نرم‌افزار کوانتوم اسپرسو بررسی شده است. مولیبدن دیسولفید MoS₂ به‌دلیل خواص منحصربه‌فرد الکترونیکی و اپتوالکترونیکی به‌عنوان ماده‌ای دوبعدی (2D) مورد توجه بسیاری از تحقیقات در حوزه‌ی نانومواد و فناوری نانو قرار گرفته است. در این کار، محاسبات مبتنی بر تئوری تابعی چگالی (DFT) با تقریب‌های مختلف ازجمله تقریب شیب تعمیم‌یافته (GGA) و همچنین در نظر گرفتن آثار اسپین-اوربیتال (SOC) انجام شده است. ساختار نواری، چگالی حالت‌ها (DOS) و گاف انرژی MoS₂ محاسبه و تحلیل شده‌اند. نتایج نشان می‌دهند که MoS₂ دارای گاف انرژی مستقیم در حالت تک‌لایه و گاف غیرمستقیم در حالت چندلایه است. همچنین، آثار اسپین-اوربیتال به شکافتگی در نوارهای انرژی و تغییرات قابل‌توجهی در خواص الکترونیکی ماده منجر می‌شود. این مطالعه بینش‌های ارزشمندی درباره‌ی رفتار الکترونیکی MoS₂ ارائه می‌دهد که می‌تواند در طراحی دستگاه‌های نانوالکترونیکی و اپتوالکترونیکی آینده استفاده شود.