مطالعهی خواص الکتریکی تکبلور InSb
نویسندگان
1 استادیار، گروه فیزیک، دانشکدهی علوم و فناوری نانو و زیست، دانشگاه خلیجفارس، بوشهر، ایران
2 استادیار، پژوهشکدهی پلاسما و گداخت هستهای، پژوهشگاه علوم و فنون هستهای، سازمان انرژی اتمی ایران، تهران، ایران
doi
10.30501/jamt.2024.447841.1298چکیده
این پژوهش تعیین سازوکار پراکندگی در دو نوع نیمهرسانای تکبلور بلوری InSb از نوع n و p است. برای این منظور، همزمان تغییرات ثابت هال، هدایت الکتریکی و ضریب پویاییپذیری در گسترهی دمایی K 77 تا K 360 و اثر هال با شدت میدان مغناطیسی 7900 گوس اندازهگیری و با نتایج تئوری مقایسه شده است. همچنین، دمای دبای و سازوکار پراکندگی از روی منحنی تغییرات ضریب پویاییپذیری از نظر دما، تعیین انرژی نوار ممنوعه و دمای همپوشانی از روی منحنی تغییرات هدایت الکتریکی، تعیین چگالی ذرات باردار و با مشخص کردن نوع حاملهای بار از روی تغییرات ثابت هال از نظر دما تعیین شده است. از روی منحنی تغییرات ضریب پویاییپذیری از نظر دما، سازوکار پراکندگی مشخص شده است. در این آزمایش، برای نمونهی n، پراکندگی بهوسیلهی مد اپتیکی در دماهای بالا و ناخالصی در دماهای پایین انجام شده است. در نمونهی p، پراکندگی ازطریق مد آکوستیکی انجام شده و در هر دو نمونه ضریب پویاییپذیری بهصورت نظری محاسبه شده که با مقادیر تجربی توافق خوبی داشته است.