مطالعه خواص نوری لایههای نازک سولفید تنگستن بازپخت شده در محیطهای مختلف شامل آرگون، آرگون/هیدروژن، آمونیاک/آب و اکسیژن
نویسندگان
1 دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) ، قزوین، قزوین، ایران
2 دانشیار، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره)، قزوین، قزوین، ایران
3 دانشیار، گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره)، قزوین، قزوین، ایران
4 استاد، گروه فیزیک کاربردی،دانشکده فیزیک و مهندسی انرژی، دانشگاه صنعتی امیر کبیر، تهران، تهران، ایران
doi
10.30501/jamt.2023.364505.1249چکیده
در این پژوهش، نانوساختارهای دی سولفید تنگستن به روش رسوب بخار شیمیایی گرمایی در کوره سه ناحیه ای بر روی زیرلایه های SiO2/Si سنتز شدند. بدین منظور پودرهای گوگرد و اکسید تنگستن به ترتیب در ناحیه های اول و سوم در دماهای 220 و 1100 درجه سانتیگراد تحت جریان گاز آرگون قرار گرفتند. جهت بررسی ریخت شناسی لایه های رشد یافته از میکروسکوپ الکترونی روبشی استفاده شد. تصاویر بدست آمده نشان دهنده رشد صفحات شش وجهی بود. سپس نمونه ها جهت بازپخت، در بوته ای در مرکز کوره تک ناحیه ای قرار داده شدند. لایه های رشد یافته تحت گازهای مختلف آرگون، آرگون/هیدروژن، آمونیاک/آب و اکسیژن در دمای 450 درجه سانتیگراد به مدت 30 دقیقه دوباره پخت شدند. جهت بررسی اثر بازپخت، آزمونهای پراش پرتو ایکس، طیف سنجی رامان و طیف سنجی فرابنفش-مرئی انجام شد. نتایج حاکی از تأثیر محیط آرگون/هیدروژن بر روی بهبود خواص نوری و بلوری لایه های سنتز شده است.
