افزایش چسبندگی سطحی لایهنازک اکسیدگرافن روی بستر سیلیکون آب گریز
نویسندگان
1 پژوهشگاه مواد و انرژی، پژوهشکده نانوتکنولوژی و مواد پیشرفته، کرج، ایران
2 پژوهشگاه مواد و انرژی، پژوهشکده نانوتکنولوژی و مواد پیشرفته، کرج، ایران
3 پژوهشگاه مواد و انرژی، پژوهشکده نانوتکنولوژی و مواد پیشرفته، کرج، ایران
doi
10.30501/jamt.2018.91626چکیده
در این تحقیق، لایه های اکسیدگرافن[1] باردار توسط روش رایج اصلاح شده هامر[2]، سنتز گردید. لایه نازک اکسید گرافن به روش لایه نشانی الکتروفورتیک[3] توسط سوسپانسیون کلوئیدی آبی اکسید گرافن روی زیر لایه سیلیکون [4] لایه نشانی شد. جهت بهبود میزان چسبندگی لایه های اکسید گرافن روی سطح آبگریز سیلیکون، عملیات اصلاح سطح زیرلایه توسط ذرات نقره انجام گرفت. فرایند احیا اکسید گرافن لایه نشانی شده در دمای ºC400 تحت جریان آرگون انجام شد. الگوی پراش اشعه ی ایکس عامل دار شدن لایه های گرافیت با گروه های عاملی اکسیژنی و افزایش موفقیت آمیز فاصله بین صفحه ای توسط متد هامر اصلاح شده را تایید می کند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی از نمونه لایه نشانی شده روی بستر سیلکون اصلاح نشده، لایه نشانی غیر یکنواخت و جزئی اکسید گرافن را نشان می دهد. بهبود میزان چسبندگی و لایه نشانی یکنواخت لایه نازک اکسید گرافن پس از اصلاح سطح سیلیکون توسط ذرات نقره حاصل شد. طیفسنجی رامان حاصل از این نمونه شکل گیری لایه نازک اکسید گرافن احیا شده را تایید می کند.
