فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

سرامیک‌های دی‌الکتریک مایکروویو امروزه به عنوان اجزای غیرقابل جایگزین در دستگاه‌ها و سیستم‌های مورد استفاده در فرکانس‌های مایکروویو برای مثال تلفن­های همراه و سیستم‌های ماهواره­ای به کار می­روند. در این تحقیق اثر افزایش مقادیر متفاوت BaZrO3، بر روی ریز ساختار و خواص دی­الکتریک مایکروویو یک ترکیب با مبنای Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN) که با فرمول (0.9-x)Ba([Zn0.6Co0.4]1/3,Nb2/3)O3–0.1Ba(Ga1/2Ta1/2)O3–xBaZrO3 نشان داده می­شود و در آن  x=0-0.1می‌باشد ، مورد بررسی قرار گرفته است. دانسیته در اثر افزایش مقدار BaZrO3 تا x=0.08 افزایش و سپس کاهش می­یابد. آزمایشهای پراش پرتوX نشان دهنده حضور فاز Ba(Zn1/3Nb2/3)O3 به همراه میزان بسیار ناچیزی از یک فاز ناشناخته برای سرامیک‌های با مقادیر x=0,0.02,0.04 می­باشد. با این‌حال مطالعات ریزساختاری توسط میکرسکوپ نوری نشان داد که فاز دوم در ریز ساختار سرامیک‌های با x=0.06,0.08,0.10 نیز وجود دارد و به دلیل میزان پایین آن توسط آزمایش پراش پرتو X قابل تشخیص نیست. پیک سوپرساختار در طیف پراش پرتو X هیچ‌کدام از ترکیبات مشاهده نشد. فاکتور کیفیت (Q´f) برای نمونه با x=0.08 برابر با GHz4366 بود که بسیار پایین می­باشد. برای بقیه نمونه­ها نیز فاکتور کیفیت پایین و قابل اندازه­گیری نبود. همان‌طور که اشاره شد بررسی­های ریزساختاری و پراش پرتو X نشان داد که فاز دوم در تمامی نمونه­ها وجود دارد بنابراین علت اصلی میزان پایین فاکتور کیفیت که برای تمامی نمونه­ها مشاهده شده را می­توان باحضور فاز دوم در ریز ساختار توجیح کرد.