لایه نشانی و تعیین خواص نوری نیترید سیلیسیم در محیط های آرگن و نیتروژن
نویسندگان
1 Electrical Engineering, K. N. Toosi University of Technology
2 Mechanical Engineering, K. N. Toosi University of Technology
3 Electrical Engineering, K. N. Toosi University of Technology
doi
10.30501/jamt.2010.70135چکیده
�لایه های نازک نیترید سیلیکون برروی زیرلایه بس کریستال سیلیکون و شیشه نازک بااستفاده از روش کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی یک بار در محیط گاز آرگن و بار دیگر در محیط گاز نیتروژن انجام شده� است. با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییرمی کند و لایه هایی با خواص نوری متفاوت به دست می آید. تأثیرات ناشی از تغییرات توان RF برروی خواص نوری و ترکیبات موجود در لایه ها بررسی شده است نسبت سیلیکون به نیتروژن در ترکیب پوشش های ضد بازتاب نیترید سیلیکون بهینه و به کمک آنالیز RBS بررسی شده است. از آنالیز UV/VIS/IR برای بررسی خواص نوری این لایه ها استفاده شده است. لایه های نیترید سیلیکونی که در محیط آرگن با ضخامت �2000 و با توان بین 100 تا 150 وات لایه نشانی شده اند، درصد عبور نور بسیار بالای 92% (درحدود شفافیت شیشه های نازک) در طیف وسیع 300 تا nm1200 دارند. لایه های ضد بازتاب نیترید سیلیکون مذکور بازتاب سطح سلول های بس کریستال سیلیکون را از 12% به کمتر از 2% کاهش می دهند.
