لایه نشانی نیمه هادی تیوسیانات مس به روش پاشش محلول پایه آمونیاک آن

نویسندگان

1 دانشگاه صنعتی امیرکبیر

2 دانشگاه علوم پزشکی بقیه‌الله

doi
https://doi.org/10.71905/jnmm.2026.1237169
چکیده

پودر تیوسیانات مس به روش واکنش شیمیایی در محلول سنتز شد. محلول پاشش از انحلال پودر سنتز شده در آمونیاک ساخته شد. برای لایه نشانی تیوسیانات مس، محلول ساخته شده بر روی زیر لایه شیشه ای پاشش شد. در حین پاشش زیرلایه در دماهای مختلف قرار داشت. بر اساس تست پراش پرتو ایکس، پودر سنتز شده به صورت خالص از فاز کریستالی β-CuSCN تشکیل شده بود. علاوه بر این، نتایج XRD نشان داد که حداقل 2 مرتبه شستشوی پودر سنتز شده برای حصول اطمینان از حذف ناخالصی ها نیاز است. نتایج XRD نشان داد که لایه ایجاد شده در دمای 50 درجه سانتیگراد علاوه بر تیوسیانات مس حاوی ترکیبات کامپلکس بوده اما لایه های ایجاد شده در دماهای بالاتر تنها حاوی تیوسیانات مس بدون حضور فاز ثانویه است. نتایج میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان داد که لایه ایجاد شده در دمای پایین متخلخل و بدون ترک است اما با افزایش دمای لایه نشانی، تخلخل پوشش حاصل کاهش یافته اما دچار ترک خوردگی می شود. براساس تصاویر میکروسکوپ نوری مکانیزم ایجاد لایه بررسی شد و پوشش تیوسیانات مس از انباشته شدن جزیره های دایره ای شکل بر روی هم ایجاد شد.