شبیه‌سازی عددی انتقال حرارت مزدوج نانوسیال در میکروکانال دوبعدی تحت تأثیر میدان مغناطیسی عرضی: تأثیر قطر نانوذره، عدد رینولدز و اتلاف ویسکوز

نویسندگان

1 دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل

2 دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل

doi
چکیده

در­­مقاله­ حاضر اثر اتلاف لزج بر روی جریان و انتقال حرارت مزدوج نانو سیال آب- آلومینا در ­یک میکروکانال دوبعدی که تحت تأثیر میدان مغناطیسی یکنواخت قراردارد، با استفاده از روش شبکه‌ بولتزمن تراکم­ناپذیر بررسی می­شود. دیوار بالایی میکروکانال عایق است و­ شار حرارتی ثابت به دیوار پایینی در منطقه جامد اعمال می‌شود. این مسئله در اعداد رینولدز 50، 75 و 100، نانوسیال با کسر حجمی 2%، قطر نانوذرات 10 تا 50 نانومتر و اعداد هارتمن 0 تا 30 بررسی شده است.نتایج نشان­ دادند،در شرایط صرف‌نظر کردن از اتلاف لزج، استفاده از میدان مغناطیسی در انتقال حرارت مزدوج، نه تنها تأثیر منفی بر عددناسلت میانگین ندارد،بلکه می­تواند آن را به‌ویژه در اعداد رینولدز بالاتر افزایش دهد. همچنین می­توان ذکر کرد که عدد ناسلت میانگین در حالت در نظر نگرفتن اثر اتلاف لزج بیشتر از حالت اعمال ترم اتلاف لزج است به‌طوری‌که بیشترین مقدار عدد ناسلت دراین حالت، در عدد رینولدز 100 و عدد هارتمن 30 مشاهده می­شود.