بررسی روشهای دستیابی به شکاف نواری مطلوب در ساختارهای کریستال فونونیک دو بعدی
نویسندگان
1 عضو هیئت علمی گروه مکانیک دانشگاه اراک
doi
10.61186/masm.3.3.325چکیده
کریستالهای فونونیک مواد پیشرفته ای هستند که از تکرار یک یا چند ماده(آخال) در یک ماده زمینه تشکیل میشوند. خصوصیت متمایز کننده این مواد، وجود شکاف نواری است. شکاف نواری کامل یک محدوده فرکانسی است که کریستال فونونیک از انتشار امواج الاستیک یا آکوستیک که فرکانس آنها در آن محدوده قرار میگیرد در همه جهات جلوگیری میکند. به دلیل خصوصیت شکاف نواری، کریستالهای فونونیک برای مدیریت انتشار امواج الاستیک مناسب هستند. در این پزوهش ساختار های کریستال فونونیک دو بعدی بررسی شده است. برای رسیدن به شکاف نواری مطلوب تا کنون کارهای زیادی روی ساختار کریستال فونونیک انجام شده است. در این مقاله تلاشهای فوق شامل دوران آخال های غیر دایرهای ، اضافه کردن یک آخال به سلول واحد اولیه، تغییر نوع شبکه و شکل آخال، کریستال فونونیک مرکب، کریستال فونونیک آشیانهای ، کریستال فونونیک نامتجانس، کریستال فونونیک سلسله مراتبی و استفاده از مواد هوشمند در ساختار کریستال فونونیک مورد بررسی قرار گرفته است.