مطالعات نظریه تابعی دانسیته رزورسینول و فنول
نویسندگان
doi
چکیده
در این تحقیق، گاف انرژی HOMO-LUMO، پارامترهای ساختاری، انرزی مینیمم، مقدار بار الکتریکی اتم ها و ممان دوقطبی رزورسینول و فنول در فاز گازی محاسبه شده است. محاسبات با استفاده از نظریه تابعی دانسیته با روش B3LYP و با مجموعه پایه G++(d,p) 311-6 بر روی ترکیبات انجام شده است. مطابق محاسبات انجام شده ممان دوقطبی رزورسینول و فنول به ترتیب 3826/1 و 3844/1 دبای و مقدار گاف انرژی رزورسینول و فنول به ترتیب 2125/0 و 21392/0 هارتری به دست آمده است. محاسبات مربوط به بار الکتریکی اتم ها نشان می دهد در هر دو ترکیب همه اتم های هیدروژن بار الکتریکی مثبت دارند و بیش ترین بار منفی به طور عمده در اتم O قرار دارد.