فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

این پژوهش با استفا ده از روش ابتدا به ساکن در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و توسط بست ه محاسباتی کوانتوم اسپرسو در تقر ی ب ش ی ب تعم ی م ی افته انجام شده است. ویژگی‌ های ساختاری همچون ثابت شبکه، انرژی کرنش و انرژی نسبی تشکیل و ویژگی الکترونی مانند ساختار نواری برای سه ساختار دسته‌ مبلی نا نوورقه‌ های P2SiS ، As2GeSe و A2GeTe و نانولوله این ترکیبات با ساختار دسته‌ مبلی (10،10) مورد بررسی قرار گرفته است و با توجه به ویژگی‌ های الکتریکی منحصر به فرد نانولوله این ترکیبات در ترانزیستورها، ویژگی‌ های الکتریکی آنها با نانولوله کربنی مقایسه شده است. همچ نین برای نانولوله A2GeTe به ازای ساختارهای دسته‌ مبلی (4،4)، (6،6)، (8،8) و (10،10) ساختار نواری رسم گردیده است و در ادامه ساختار نواری نانوورقه‌ های P2SiS ، As2GeSe و A2GeTe با ساختار نواری گرافن مقایسه گردیده است. نتایج به دست آمده نشان می‌ دهد که ساختار ن واری نانوورقه‌ ها و نانولوله‌ های این ترکیبات، گاف نواری را به دست می‌ دهد. بنابراین همه ترکیبات ذکرشده، نیمرسانا می‌ باشند. همچنین از بررسی قطرهای مختلف نانولوله ‌ های دسته ‌ مبلی ترکیب A2GeTe ، ساختارهای نواری‌ بسیار نزدیک به یکدیگر به دست آمده است. که این مؤید گاف نواری تقریباً یکسانی به ازای قطرهای مختلف برای نانولوله A2GeTe ست. دو عامل نیمرسانایی و ثابت ماندن گاف نواری نانولوله‌ های P2SiS ، As2GeSe و A2GeTe دو مزیت مهم استفاده از این نانولوله‌ ها به جای نانولوله‌ های کربنی در ترانزیستورها است.