شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
نویسندگان
1 عضو هیات علمی دانشگاه آزاد واحد بوشهر
2 دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد واحد بوشهر
3 هیت علمی دانشگاه ازاد واحد بوشهر
doi
چکیده
در این مقاله، به ارائه یک ضربکننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی میپردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا طراحیشده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار میکنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضربکننده، با استفاده از فناوری CNTFET ،32 نانو متر طراحی میشود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضربکننده ارائهشده در شبیهساز HSPICE شبیهسازی شده است. نتایج حاصل از شبیهسازی نشان می دهد که مدار قابلیت عملکرد مطلوب را تا فرکانس 2 گیگا هرتز ، مصرف توان ماکزیمم 3.7464µw و همچنین دارای THD 0.226043% می باشد.
