بهینه کردن خطینگی واثر هارمونیک سوم در تقویت کننده های با گستره بسامدی پهن در تکنولوزی 130نانومترCMOS با استفاده از اثربدنه
نویسندگان
1 استادیارگروه برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی ،بوشهر ،ایران
2 دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، بوشهر، ایران
3 استادیارگروه برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی ،بوشهر ،ایران
doi
چکیده
در این مقاله یک تقویت کننده ی کم نویز فرا پهن باند(تقویت کننده کم نویز اولین بلوک در یک گیرنده مخابراتی پس از آنتن می باشد و نقش آن تقویت سیگنال ضعیف دریافتی توسط آنتن با افزودن حداقل نویز به آن و در نتیجه کاهش حداقلی نسبت سیگنال به نویز (SNR) است ) با استفاده از تکنیک جدید به منظور بهینه کردن خطینگی و اثر هارمونیک مرتبه سوم ارائه شده است. تکنیک حذف اعوجاج مرتبه سوم با استفاده از اثر بدنه ترانزیستور در یک تقویت کننده ی دیفرانسیلی گیت مشترک، انجام شده است و این در حالی است که تقویت کننده بررسی شده نسبت به کار گذشته علاوه بر بهبود IIP3 توان مصرفی را بهبود داده است. برای شبیه سازی از ابزار Cadence IC Design و از تکنولوژی130 نانومتر استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهند که مدار به مقدار مینیمم عدد نویز3/68dBو بهره 19/54dBرسیده است. همچنین مقدار توان مصرفی9 میلی وات بدست آمده است و این در حالی است که مدار از یک تغذیه 2/1 ولتی بهره می برد. همچنینIIP3 در فرکانس 6GHzو فاصله ی دو تن 20MHz، 9/1dBmبدست آمده است.و همچنن مقدار پارامتر شایستگی6/113میباشد.