فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

به دلیل حذف حالت مشترک بهتر تغذیه و نویز زیر بستر، نوسان‌ساز حلقوی تفاضلی ( DRO ) عملکرد بهتری نسبت به نوسان‌ساز حلقوی تک‌سر ( SERO ) هم در مدارات مجتمع آنالوگ و هم مدارات دیجیتال از خود نشان می‌دهد. همچنین، دستیابی به عملکرد فرکانس بالا با خروجی‌های هم‌فاز و متعامد در نوسان‌ساز حلقوی تفاضلی آسان است. بدین منظور در این پژوهش، طراحی و شبیه‌سازی یک نوسان‌ساز حلقوی تفاضلی کنترل‌شده با ولتاژ ( DVCRO ) سه‌طبقه بر اساس ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی ( CNTFET ) ارائه می‌شود که فرکانس نوسان آن را با تغییر ولتاژ کنترل ساختار سلول تأخیر پیشنهادی می‌توان در بازه بسیار وسیعی از 7/45 گیگاهرتز تا 18/110 گیگاهرتز تغییر داد و درعین‌حال توان مصرفی آن در بازه 17/5 میکرو وات تا 68/32 میکرو وات باشد. بر اساس نتایج به دست آمده در ولتاژ تغذیه 9/0 ولت، نوسان‌ساز حلقوی کنترل‌شده با ولتاژ ( VCRO ) پیشنهادی مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی ویژگی‌های امیدوارکننده‌ای نسبت به همتای مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی-اکسید-فلز ( MOSFET ) خود نشان می‌دهد. همچنین، نسبت به سایر نوسان‌سازهای موجود عملکرد فوق‌العاده خوبی از خود نشان می‌دهد.