فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله محاسبات اصول اولیه بر پایه نظریه تابعی چگالی (DFT)پلاریزه اسپین برای مطالعه خواص مغناطیسی و الکترونیکی سیستم‌تک لایه دی نانوساختار PdS2 با دوپینگ جایگزینی همزمان فلزات واسطه 3d-4d انجام می‌شود. در حضور جفت اتم های Cr-Mo وMn-Tc ساختار خالص غیرمغناطیسی، خاصیت مغناطیسی با مقادیر مغناطش بترتیب 3.83µB و 1.60µB پیدا می کند. همچنین مقدار گاف انرژی اولیه ی 1.17eV به میزان قابل توجه ای کاهش یافته و به مقادیر گاف انرژی اسپینی بالا-پایین مختلف بترتیب (Eg=0.48eV,Eg=0.23eV) و (Eg=0.43eV,Eg=0.3eV) برای دوپینگ فلزات Cr-Mo وMn-Tc تقلیل پیدا می کند.نتایج نشان میدهد که ساختار خالص نیمه هادی غیرمغناطیسی PdS2 با دوپینگ فلزات Fe-Ru (Co-Rh) به ساختارهای مغناطیسی بترتیب با مقدار مغناطش های 3.26µB (1µB) تبدیل می شود.همچنین خاصیت نیمه فلزی با مقدار شکاف باند انرژی اسپین (Eg=0.54eV) Eg=0.25eV کسب می کند که اساس ساخت وسایل اسپینرونیک-والیترونیک محسوب می شود.بغیر از جفت فلزاتTi-Zr وCu-Ag که ویژگی فلزی به سیستم می بخشند سایر دوپینگ های جفت Sc-Y ، V-Nb ، Ni-Pd وZn-Cd نقش مغناطیسی و الکترونیکی قابل توجه ای در ساختار بازی نمی کنند.