بررسی اثر پارامترهای فرآیندی روی خواص مغناطیسی، الکتریکی و جذب الکترومغناطیس رنگدانه نانوساختار استرانسیم هگزاگونال فریت

نویسندگان

1

2

3 پژوهشگاه زابل

4

doi
چکیده

رنگدانه نانوساختار استرانسیم هگزاگونال فریت نوع M با ساختار شیمیایی SrFe 12 O 19 در دماهای 1100-900 درجه سانتی‌گراد با روش‌های هم‌رسوبی و پچینی تهیه شدند. آنالیزهای پراش پرتو ایکس ( XRD )، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی ( FESEM )، مغناطومتر نمونه مرتعش ( VSM ) و تحلیل‌گر برداری شبکه ( VNA ) جهت بررسی خواص ساختاری، مغناطیسی و دی الکتریک نانوذرات تهیه شده انجام گردید. با توجه به نتایج XRD ، فاز استرانسیم هگزاگونال فریت در تمامی نمونه‌ها فاز غالب بوده و مقادیر شبکه بلوری تشکیل شده با تئوری آن سازگاری دارد. نتایج VSM و VNA نیز نشان داد که افزایش دمای کلسیناسیون، مغناطیس اشباع را افزایش و ثابت دی الکتریک را کاهش داده و بنابراین، نانوساختارهای سنتز شده قابلیت کاربرد در پوشش ­ های جاذب رادار در فرکانس ­ های بالا را دارا می باشند.