مهندسی کنترل شده ساختار و گاف نواری در نانوساختارهای سولفید تنگستن از طریق پلاسما

نویسندگان
ریحانی, علی ID 1
زلفی, مجتبی ID 2
مرتضوی, زهرا ID 3
پروین, پرویز ID 4

1 دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره)

2 دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره)

3 دانشگاه امیرکبیر

4 دانشگاه صنعتی امیر کبیر

doi
چکیده

چکیده در این پژوهش، نانوساختارهای دوبعدی سولفید تنگستن )WS2( به روش رسوب‌دهی بخار شیمیایی گرمایی (TCVD)  در دمای °C 1100 ، با گاز حامل آرگون به شار حجمی استاندارد  sccm ۱۵۰  ، بر روی زیرلایه‌های سیلیکونی در یک کوره سه ‌ناحیه‌ای و طی ۶۰ دقیقه رشد داده شدند. نمونه‌های حاصل به مدت ۱۰ دقیقه ...

کلیدواژه‌ها
نانوساختارهای سولفید تنگستن, رسوب دهی بخار شیمیایی گرمایی, پلاسمای گاز آرگون