ساخت کامپوزیت لایهای TaC-TiC/ TaC-TiC-Graphene و بررسی مقاومت به اکسیداسیون آن
نویسندگان
1 گروه مهندسی مواد، واحد اهواز، دانشگاه آزاد اسلامی، اهواز، ایران
2 گروه مهندسی مواد، واحد اهواز، دانشگاه آزاد اسلامی، اهواز، ایران
doi
چکیده
در این پژوهش به منظور بررسی اثر گرافن برمقاومت به اکسیداسیون، ابتدا کامپوزیت لایه ای TaC-TiC-SiC/TaC-TiC-SiC-G با روش تفجوشی پلاسمای جرقه ای در دمای ˚ 185۰c، در زمان 8min و فشار 35Mpa تفجوشی شد. برای بررسی مقاومت به اکسیداسیون، نمونه در دماهای 400، 500، 600 و c˚ 700 برای مدت 30 دقیقه در کوره جعبه ای تحت اتمسفر هوا قرار گرفت. برای بررسی مقاومت به اکسیداسیون نمونه ها از آنالیز الگوی پراش پرتو ایکس و آنالیز حرارتی و همچنین تصویربرداری از نمونه ها با میکروسکوپ الکترونی روبشی انجام شد. نتایج نشان داد، افزایش دما با کاهش وزن برای نمونه ها همراه بود که بیانگر تجزیه و اکسیداسیون کاربید تانتالوم، کاربید تیتانیوم، کاربید سیلیکن و گرافن می باشد. نتایج XRD نشان داد که طی فرآیند اکسیداسیون فازهایی چون Ta2O5و SiO2 در ریزساختار نمونه تشکیل می شوند و مقدار آن ها با افزایش دما، افزایش می یابد. مشخص شد که رشد دانه تا دمای ˚600c به مقدار ناچیز بود ولی در دماهای بالاتر رشد دانه چشمگیری اتفاق افتاد. همچنین مشخص شد که تا زیر دمای ˚900c همه فعل و انفعالات گرمازا بودند و بالاتر از آن فعل و انفعال گرماگیر در یک مرحله اتفاق افتاد.